氮化镓在快充领域，可谓是如火如荼，然而随着技术的不断更新，氮化镓也逐渐开始多维度发展，如今在适配器领域也已愈演愈烈。GaN所带来的低导阻、高效率优势，能进一步缩小产品体积，提升能效，将适配器的功率密度带上一个新的高度。
近日，充电头网从氮矽科技官方渠道了解到，针对适配器领域，氮矽科技推出/W两款GaN适配器方案，为客户提供更具性价比的适配器方案参考。
氮矽科技WGaN适配器方案氮矽科技WGaN适配器方案，主控IC采用的是TEA+NCPB，搭配DXCS2C/DX65F。
主要参数
尺寸：96.51*46.62*21.38mm
效率：94.40%
V50Hz功率密度：1.24W/cm3
GaN型号：DXCS2C/DX65F
封装：DFN5*6/DFN8*8
氮矽科技WGaN适配器方案氮矽科技WGaN适配器方案，主控IC采用的是TEA+NCPB，搭配DXCS2C/DX65F。
主要参数
尺寸：.33*56.14*25.59mm
效率：94.81%
V50Hz功率密度：1.14W/cm3
GaN型号：DXCS2C/DX65F
封装：DFN5*6/DFN8*8
拓扑结构：PFC+LLC
电气性能测试在电气性能方面，氮矽科技对W/WGaN适配器方案的整机效率、空载电压以及待机功耗三方面进行了测试。
整机效率在整个负载阶段，氮矽科技WGaN适配器方案平均效率都在92%以上，其中最高效率最高达到了94.50%；氮矽科技WGaN适配器方案平均效率在整个负载阶段都在93%以上，其中满载效率最高达到了94.81%，处于业内领先水平。
空载电压在空载情况下，氮矽科技W适配器方案输出电压均在19.5V左右；氮矽科技WGaN适配器方案输出电压均在24V左右，与正常工作输出电压几乎一致。
待机功耗在待机功耗方面，氮矽科技WGaN适配器方案的轻中载待机功率仅有0.-0.W，重载情况也只有0.W；氮矽科技WGaN适配器方案的轻中载待机功率仅有0.16-0.W，重载情况也只有0.W，都能很好满足能效方面的相关要求。
保护功能测试在保护功能方面，氮矽科技对W/WGaN适配器方案的短路保护、过流保护、过压保护三方面进行了测试。
短路保护可以从测试结果看出，无论轻中载情况下，氮矽科技W适配器方案在输出短路后，其输出电流会短时间降到极低，可以很好保护电路；氮矽科技W适配器方案在输出短路时会出现间歇工作现象，呈现出“输出打嗝”状态进行短路保护，且都能在短路保护后自行恢复。
过流保护氮矽科技W/W适配器方案集成了OCP保护功能，在出现过流后，都能极快地启动过流保护机制，及时保护电路不受大电流损害。
充电头网总结氮矽科技GaN适配器方案，相比传统适配器方案来说，体积优势非常明显，让适配器告别了“厚重”时代；其效率和功率密度在业界也是处于领先水平；且其待机功耗极低，能很好满足能效要求，实现一个更低碳环保的适配器方案设计；此外，其内部还集成了完善的保护功能，保证在高功率密度设计的同时，提升方案的稳定性和可靠性，进一步加强客户产品在市场上的竞争力。
氮化镓作为新时代电源界的“宠儿”，在各个电子领域都备受青睐。氮矽科技基于自身产品优势，推出/WGaN适配器方案，是氮化镓应用领域的又一突破，氮矽科技在引领氮化镓革命性突破道路上的不断进步，也为氮化镓全面普及提供了源源不断的动力。