手机闪充技术的兴起与普及，是手机行业走向深度创新后难得的消费热点。从去年开始，各大国产手机发布的旗舰机都不约而同将W闪充当作一项卖点，华为、vivo、OPPO、小米、中兴等国产旗舰机已进入超快闪充的赛道。
在这样的背景下，用户对于手机“快充”的需求显然也已发生了改变。过去大家可能只是希望手机充电快一点，以便能再多打一会电话、多发几条短信；但是现在，更多的消费者会希望手机能够在短短几分钟、十几分钟时间里，就充入大半电量，从而可以再支撑上大半天的娱乐、创作等高能耗使用。
镓未来一直以科技创新为原动力，始终站在时代科技最前沿的一贯风格，不仅在业界率先推出了W图腾柱PFC+LLC氮化镓电源量产解决方案，以及W图腾柱PFC+LLC量产电源方案，而且早已在W快充应用领域进行了研究和探索。
当业界还在以WPD功率密度突破1W/cm的行业天花板而举杯庆祝的时候，镓未来已应用GaN器件的PFC+AHB拓扑架构，将功率密度做到了惊人的2.14W/cm，W满载10分钟，效率高达94%以上，体积几乎与常见的65W快充相同——小个子，大能量，小巧便携，外出携带毫无负担。
PFC+AHB拓扑架构镓未来W超快闪充迷你充电器方案使用了全GaNFET的设计，在PFC架构中，使用了1颗G1N65RPB，AHB（非对称半桥架构）使用了两颗G1N65RPB。
非对称半桥（AHB）反激拓扑，可实现更高的效率和更高的开关频率。由于漏感中的能量被吸收，在主功率管开启过程中不存在漏感尖峰，功率管的电压应力更小，输入电压范围更宽，EMI噪声更小。
但传统的SiMOSFET的材料特性使器件无法工作在高频，同时限制了PFC电感的尺寸，无法满足小型化，高功率密度的需求。GaNFET的应用，提升了工作频率，使AHB能够向更小体积更高功率密度的方向发展，同时GaNFET降低了开关损耗以及反向恢复损耗，满足超快闪充对高效率以及高功率密度的需求。
GaNext-规格特点镓未来W超快闪充迷你充电器方案采用两脚输入，支持90~Vac宽电压输入，输入频率支持50/60Hz，支持最高20V6A输出，满载效率高于94.3%，输出电压纹波小于mV，工作温度0~40℃，方案支持TSD、OLP、OVP、OCP、SCP、OpenLoop保护。
镓未来W超快闪充迷你充电器方案带壳尺寸为53x46x23mm，功率密度做到了2.14W/cm。方案采用被动散热设计，表面温升小于50℃，20V/16.5A条件下触摸温度满足IEC-1标准，EMI满足ENCEREClassB标准。
上图为Vac输入下，常规WQR电源和镓未来W电源方案效率曲线对比图，可以看到镓未来W超快闪充迷你充电器方案从轻载到重载条件下，效率均高于常规WQR电源方案。
对于氮化镓功率器件的应用，主流的形态是分立和合封两种，合封氮化镓芯片使用相对容易，但是输出功率难以做大；而E-mode氮化镓分立器件驱动困难，功率范围相对于合封有所提升，但是大功率驱动容易受干扰；但镓未来G1N65RPB和G1N65RPA作为CascodeGaN分立器件，驱动简单，和SiMOSFET完全一致，功率范围宽，涵盖更多应用场景。
GaN器件与传统SiMOSFET相比，镓未来G1N65RPB和G1N65RPA两款CascodeGaN在应用时具备诸多优点。
更高栅极耐压，可兼容SiMOSFETDriver相别于普通增强型氮化镓功率器件不超过+7V的栅极耐压，镓未来的所有氮化镓产品的Vgs均可以达到±20V，驱动电压通常建议为+12V，驱动线路仅需3个电阻及一个二极管，与SiMOSFET相同，可使设计者对驱动器有更多选择空间，且在驱动线路上保持熟悉感，减少设计风险。
更高阈值电压，避免误导通普通增强型氮化镓的典型阈值电压1.7V，这与SiSuperjunction器件（典型值一般在3V左右）相比，其抗噪声干扰能力低，增加了误导通的风险，因此其对封装和Layout要求极为严苛，需要尽可能减少寄生电感及噪声干扰的影响。
镓未来G1N65RPB和G1N65RPA将Vgs(th)提高到2.2V，可有效降低栅极噪声带来的误导通风险，提高了氮化镓器件的稳定性和可靠性，让设计者更放心、更安心。
GaNFET业界最低动态电阻，提高效率在高压应用中，由于GaN器件的异质接触面中存在缺陷，会束缚一部分电子，从而在开关过程中增加了导通阻抗，此时的导通电阻称为动态电阻。动态电阻会增加GaN器件的导通损耗并且导致更高的温升，影响GaN器件的稳定性、可靠性以及系统的转换效率。
普通增强型氮化镓器件的动态电阻比静态Rds(on)上浮30%左右，尤其是在度结温时，动态内阻竟然达到了25度结温时静态Rds(on)的2.5倍。G1N65RPB和G1N65RPA采用特殊工艺，有效抑制了动态内阻，度结温时仅为25度结温时的1.5倍，极大的降低了导通损耗，提升效率的同时，满足了大功率闪充的苛刻散热要求。
Vsd做到业界最低1.6V镓未来的氮化镓器件反向工作时，可以实现自动续流，在第三代半导体器件中（GaNandSiC），Vsd做到业界最低1.6V，而普通增强型氮化镓器件Vsd为3.2-5.6V，SiCMOSFET的Vsd为4.8V，且负压关断会导致续流压降进一步提高，在大功率的桥式拓扑应用中表现尤为突出，减少死区损耗，提升效率。
充电头网获悉，镓未来G1N65RPB和G1N65RPA已经正式量产，有需求的伙伴可与镓未来联系哦~
关于镓未来珠海镓未来科技有限公司成立于年10月，专注于高稳定性、高可靠性的氮化镓产品的研发和生产。
镓未来依托GaN功率器件的世界领先技术，实现GaN功率器件的国产化，可提供30W~WGaN器件以及系统解决方案的科技公司，致力于成为国产第三代半导体—氮化镓产品国际化的探路者及开拓者，为更好的赋能绿色能源及碳中和的伟大使命而砥砺前行。
充电头网总结随着智能手机快充技术的发展以及USBPD3.1快充标准的普及，W功率段充电器的市场需求愈发旺盛。但目前市面上W充电器的体积普遍都偏大，对日常使用和外出携带都造成一定不便，镓未来此次推出的W超快闪充迷你充电器量产方案，采用PFC+AHB拓扑架构，内置多颗镓未来CascodeGaN器件，实现输出功率相同的基础上，体积大幅缩小，效率大幅提升。