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氮化镓、GaN指氮化镓（GaN）是第三代宽禁带半导体材料的代表之一，具有禁带宽度大、热导率高、电子饱和迁移速率高、直接带隙、击穿电场高等性质。
氮化镓器件主要包括射频器件和电力电子器件，射频器件产品包括功率放大器和开关器等，主要面向基站卫星、军用雷达等市场；电力电子器件产品包括场效应晶体管等产品，主要应用于无线充电、电源开关和逆变器等市场。
GaN器件分类
资料来源：共研网整理
GaN功率器件包括SBD、常关型FET、级联FET等产品，主要应用于无线充电件、电源开关、逆变器、交流器等领域。随着技术水平的进步与成本控制，GaN材料将在中低功率取代硅基功率器件，在V~V电压间发挥优势作用。GaN器件的体积将显著降低：由于导通电阻小、可在高温环境下共奏以及效应速度快，器件体积将显著降低。
氮化镓功率器件在部分场景的效率改善情况
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中国GaN功率半导体市场较小，但增长迅速。年中国GaN功率半导体市场规模0.11亿元，年市场规模达到1.88亿元。
-年中国GaN功率半导体市场规模走势图
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GaN材料禁带宽度大、热导率高、临界击穿电场高、饱和电子迁移速率高，在应用上可以做到高击穿电压、耐高温、低导通损耗、高输出功率以及低成本，在电力电子、微波通信、光伏逆变、照明等应用领域具有另外2代材料无法比拟的优势，具有重大的战略意义，相信在不久的将来GaN作为第3代半导体材料中优秀代表会得到更广泛的应用。
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