炬丰科技半导体工艺氮化铝晶体生长的

书籍：《炬丰科技-半导体工艺》

文章：氮化铝晶体生长的方法

编号：JFKJ-21-

作者：炬丰科技

书籍：《炬丰科技-半导体工艺》

文章：氮化铝晶体生长的方法

编号：JFKJ-21-

作者：炬丰科技

氮化铝(AlN)在室温下具有6.0eV(nm波长)的宽带隙，作为深紫外光谱范围的光电子材料引起了越来越多的

转载请注明：http://www.180woai.com/afhgx/3149.html