冬季白癜风治疗 http://news.39.net/bjzkhbzy/171020/5778381.html
书籍：《炬丰科技-半导体工艺》
文章：氮化镓效应工艺
编号：JFKJ-21-
作者：炬丰科技
1.1III-氮化物材料系统：AlGaN/GaNHFETs由于III族氮化物材料系统的众多卓越品质，AlGaN/GaNHFET实现了其卓越的性能，其中AlGaN/GaN只是其中的一个子集。AlGaN/GaN材料系统由于其许多独特且有益的特性，特别适用于半导体器件和HFET。该材料系统表现出优异的击穿场、电子迁移率、电子饱和速度和热导率。AlGaN/GaNHFET更准确地称为AlxGai-xN/GaNHFET，其中x代表Al摩尔分数。这对于理解AlGaN/GaN系统的优势非常重要......在该表中，所谓的综合品质因数(CFOM)将所有材料参数分解为一个数字（归一化为硅）。值得注意的是，尽管GaAs具有更高的电子迁移率，但GaN的宽带隙、大击穿场和良好的导热性表明，总体而言，GaN的性能优于GaAs。虽然适用于某些设备应用，但以下CFOM定义并不是所有材料参数的公正表示，只是那些被认为与高功率、高频性能最相关的参数。1.2AlGaN/GaNHFETs理论在最简单的形式中，AlGaN/GaNHFET由衬底（通常是蓝宝石、SiC或有时是Si）、金属有机化学气相沉积(MOCVD)或分子束外延(MBE)生长的GaN沟道层和类似生长的AlxGai组成——具有欧姆源极和漏极触点的势垒层以及在选择性蚀刻到异质结构中的台面上定义的肖特基栅极。基本的HFET结构如图1.1所示......1.3AlGaN/GaNHFET的问题略1.4论文大纲略AlGaN/GaN2DEG的欧姆接触2.1欧姆接触测量略在用于制造的掩模组上定义了许多测试结构。就本论文而言，这些测试结构中最重要的是传输长度方法(TLM)模式。传输长度方法模式允许表征接触电阻Rc、特定接触电阻率Pc和薄层电阻Rsh。TLM图案特别有用，因为它们允许表征AlGaN/GaNHFET中2DEG的欧姆接触形成的质量......该模型的具体细节在[10].不幸的是，我们研究中使用的掩模组上存在的标准TLM模式不能提供足够的数据来确定TLTLM参数[10].2.2AlGaN/GaN欧姆接触理论2.2.1欧姆接触的形成略2.2.2表面形态略2.3欧姆接触性能文献综述略2.4选择欧姆金属化略如有侵权，请联系作者删除