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集微网消息，2月24日，露笑科技在互动平台表示，目前对于5G毫米波标准，至少在宏基站中将需要用到氮化镓基HEMT芯片，该芯片目前的技术路线是基于碳化硅基氮化镓外延片制造的，所以本公司规划产品中有GaNonSiC（碳化硅基氮化镓外延片）专门应用于5G射频领域。
此前，露笑科技发布公告称，为满足公司主业发展的需要，以新技术、新产品发展公司战略新兴产业，公司在原有蓝宝石生产技术支持下成功研发碳化硅长晶设备，在此基础上公司正在筹划非公开发行股票事项。本次非公开发行股票募集资金主要用于投资碳化硅晶体材料和制备项目。
露笑科技将继续专注第三代半导体晶体产业，拓展碳化硅在5GGaN-on-SiCHEMT、SiCSBD、SiCMOSFET、SiCIGBT等元器件芯片方面的应用，初步拟定产品为4-6英寸半绝缘片以及4H晶体N型导电碳化硅衬底片及其他产品制品,具体项目预算和产品方案正在编制中。（校对/GY）