总投资25亿元,浙江嘉兴新添氮化镓射频及

集微网消息,11月7日,浙江博方嘉芯集成电路科技有限公司总投资25亿元的氮化镓(GaN)射频及功率器件产业化项目正式签约落户嘉兴科技城。

图片来源:浙江新闻

该项目将建造大型规模化的GaN射频器件与功率器件生产基地,全部达产后可实现年销售30亿元以上,可进一步推动南湖区集成电路新一代半导体产业。

GaN属于第三代高大禁带宽度的半导体材料,和第一代的Si以及第二代的GaAs等相比,具有高工作频率、电子迁移速率、抗天然辐射及耗电量小等特性,能够广泛运用于5G通讯基站、智能移动终端、物联网、军工航天、数据中心、通信设备、智能电网及太阳能逆变器等领域。

目前,嘉兴区在加快集成电路产业发展。此前,嘉兴南湖区制定出台了集成电路产业发展规划(-年)其中就提出,南湖区将围绕特色产品、功率器件、MEMS传感器等领域,推动集成电路产业集群式发展。

此外,南湖还将发挥G60科创走廊桥头堡优势,主动对接上海、杭州、苏州、无锡、合肥等地,将南湖区集成电路产业打造成“上海—嘉兴高端产业协同发展示范产业”。(校对/图图)




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