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氮化镓，是第三代半导体材料，最早用于发光二极管中。由于制作工艺难度高，一直未大规模应用。直到出现改进型硅基工艺后，减少了氮化镓的制成难度，同时硅很便宜，很多工艺也能复用，所以市面上的所有氮化镓充电产品，都是使用硅基氮化镓制成的。
凭什么氮化镓就成了下一代的半导体材料了？氮化镓的三个优点：开关频率高、禁带宽度大、更低的导通电阻。开关频率是指充电头内部晶闸管，可控硅等电子元件，每秒可以完全导通、断开的次数。开关频率高可减小变压器和电容的体积，有助于减小充电头的体积和重量。从图中可以看出，较硅基和碳化硅基，氮化镓芯片的击穿电压数量级别的提高，这使得其抗击穿能力强，高电压下工作更安全。
目前阻碍氮化镓充电器普及的主要障碍是价格太高，但是借鉴存储器或者处理器发展的摩尔定律，氮化镓充电器的价格会越来越低、性能会越来越好！期待未来不到百元的W氮化镓超级快充。