赛微电子公司在碳化硅基氮化镓GaNo

每经AI快讯,有投资者在投资者互动平台提问:董秘您好,请问贵公司有碳化硅产品吗?谢谢!

赛微电子(.SZ)8月29日在投资者互动平台表示,您好,GaN和SiC都属于第三代半导体,在宽禁带和击穿电场方面都有相同的特性,都适合做功率电子应用,氮化镓具有高导通能力,氮化镓的异质结是碳化硅不具备的,因此,氮化镓相对碳化硅更具有速率和效率方面的优势;另一方面碳化硅起步较早,更加成熟,有一定的成本优势,良率、热导率也会更好些,因此在超高压大功率有更强的散热优势。简单来说,在功率系统里,大于10KW以上的汽车逆变器、轨道交通、发电等应用领域,碳化硅更有优势,在10KW以下的快充、智能家电、无线充电、服务器等应用领域,氮化镓有更多的优势。当然,以上属于我们公司的理解,不一定权威,还请投资者多方咨询确认。公司在碳化硅基氮化镓(GaN-on-SiC)材料及制造方面同样具有技术储备,但在8英寸硅基氮化镓(GaN-on-Si)方面的技术储备与竞争力方面更为突出,材料技术与工艺制造能力都是为产品服务,具体取决于客户需求,谢谢


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