序言
跟着PD3.1商场的炽热，越来越多的电源厂商最先布局关联电源产物，工程师在开辟大功率PD3.1电源时，可经过采取氮化镓启动芯片替换保守计划，简化PFC电路计算；不只这样，氮化镓启动合封芯片也能在AHB拓扑等运用中大展武艺，运用前程极度普遍。近期，成都氮矽科技有限公司推出了两款合封氮化镓芯片DXCS2C和DXCS2C，将V加强型氮化镓晶体管及其启动器封装在一个芯片内部，低落了氮化镓快充产物开辟门坎，丰厚了合封氮化镓电源芯片商场。氮矽科技合封氮化镓新品上台
氮矽DXCS2C是一款集成V加强型氮化镓晶体管及启动器的合封氮化镓芯片，耐压V，导阻mΩ，最大漏源极电流7A，单极正电压门极启动电压0V~6V，帮助3.3V和5V节制记号，开关速率超10MHz，具备零反向复原斲丧。氮矽DXCS2C导阻mΩ，最大漏源极电流10A，别的要紧参数与DXCS2C雷同；DXCS2C和DXCS2C可运用在快充电源、LED照明启动器、PFC电路、LLC更动器、无线电力传输等畛域。氮矽合封氮化镓产物采取与单GaN管雷同的DFN5x6封装，完备很强的通用性，比拟保守分别启动计划，可俭省约40%占板面积；其它，采取合封氮化镓芯片可灵验节减启动回路走线，低落寄生参数，运用极限频次更高。上图为分别启动计划与合封启动计划的启动振铃电压测试图，鄙人拉电阻同为0Ω的状况下，实测分别启动计划的启动振铃电压为1.8V，而合封启动计划的启动振铃电压只是惟有0.24V。加强型氮化镓晶体管的阈值电压正常为1~2V，要是运用功程师抉择增多下拉电阻的阻值来避让功率管的误开启，那末必将会影响管子的关断速率，致使运用频次遭到束缚。上图为分别启动计划与合封启动计划的温升测试图，由于省去了下拉电阻，于是其启动斲丧也低于分别启动计划，一样的运用前提下，合封启动计划温度更低，效率更高。充电头网归纳
氮矽科技推出的两款合封氮化镓芯片DXCS2C和DXCS2C，采取DFN5x6封装，导通电阻别离为mΩ和mΩ。经过将V加强型氮化镓晶体管及其启动器封装在一个芯片内部，既也许擢升大伙计划的功能，同时也能节减PCB板的占用，削减尺寸并节减BOM成本。氮矽科技年设置于成都高新区，年头推出氮化镓专用启动器，填补国内空白，同庚关量产多款V氮化镓晶体管，囊括寰球最小V氮化镓器件。停止年，氮矽科技已量产各样封装范例的V/80-mΩ氮化镓功率器件，以及80-V氮化镓半桥启动器、超高速，宽规模输出的低侧氮化镓启动器等。氮矽科技凭仗在氮化镓畛域的先发上风，勇于人先，在氮化镓器件计算、产物封装和测试畛域前后实行技能攻破，使其在功率氮化镓及其启动畛域完备强壮的比赛力。关联浏览：1、氮矽推出多款氮化镓启动器，餍足半桥和单管启动运用2、氮矽科技：功率氮化镓运用近况与前程3、氮矽科技推出高功能氮化镓快充计划4、氮矽科技推出两套量产版65W氮化镓充参考计算5、氮矽科技引领氮化镓器件革新性攻破「峰会报名」
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