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说到宽禁带材料「双子星」——不得不说的就是碳化硅（SiC）。
硅作为第一代「半导体材料」的典型代表，其技术与应用发展到如今已经是炉火纯青，甚至于，目前全球95%以上的半导体芯片和器件都是用硅片作为基础功能材料而生产出来。但随着硅材料技术的日臻佳境的发展，硅在光电子领域和高频高功率器件方面的诸多限制也开始体现出来。也就是说硅的性能已经开始跟不上各种应用场景的需求了。根本原因就在于硅本身的带隙较窄、电子迁移率和击穿电场较低。
为了获得更加优秀的解决方案，开始了关于更高性能的探索。
SiC器件相对于Si器件的优势主要来自三个方面：
降低电能转换过程中的能量损耗
更容易实现小型化
更耐高温高压
并且SiC功率器件的能量损耗只有Si器件的50%，发热量只有Si器件的50%，且有更高的电流密度。在相同功率等级下，SiC功率模块的体积显著小于Si功率模块。
是不是感觉和GaN很像？是的，这是两者材料特性决定的，在很多性能上SiC和GaN具有十分相似的表现。
虽然SiC和GaN被称为双子星，但其实目前它们正在各自擅长的领域发着不同的光。GaN有着更强的成本控制，SiC则能够胜任更极限的环境条件。
今天的分享就结束了！！
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