IT之家11月18日消息，近期纳微半导体宣布，采用全新GaNSense技术的GaNFast氮化镓功率芯片已正式发布。这也是全球首款智能GaNFast氮化镓功率芯片，它将能更有效地解决适配器的发热问题，同时还能继续保持安全、稳定、高功率的充电体验，让原来采用GanFast氮化镓功率芯片的充电器使用体验得到进一步提升。
此外，如果氮化镓功率芯片识别到有潜在的系统危险，该芯片将迅速过渡到逐个周期的关断状态，以保护器件和周围系统。GaNSense技术还集成了智能待机降低功耗功能，在氮化镓功率芯片处于空闲模式时，自动降低待机功耗，有助于进一步降低功耗。
凭借严格的电流测量精度和GaNFast响应时间，GaNSense技术缩短50%的危险时间，危险的过电流峰值降低50%。GaNFast氮化镓功率芯片单片集成提供了可靠的、无故障的操作，没有“振铃”，从而提高了系统可靠性。
IT之家获悉，采用GaNSense技术的新一代纳微GaNFast氮化镓功率芯片有十个型号，都集成了氮化镓功率器件、氮化镓驱动、控制和保护的核心技术，所有产品的额定电压为V/V，具有2kVESD保护。新的GaNFast功率芯片的RDS(ON)范围为至毫欧，采用5x6mm或6x8mmPQFN封装，具有GaNSense保护电路和无损电流感应。
作为纳微第三代氮化镓功率芯片，针对现代电源转换拓扑结构进行了优化，包括高频准谐振反激式（HFQR）、有源钳位反激式（ACF）和PFC升压，这些都是移动和消费市场内流行的提供最快、最高效和最小的充电器和适配器的技术方法。
截止至年10月，纳微半导体已出货超过万颗纳微GaNFast氮化镓功率芯片，在现场测试实现了超过亿个设备小时，并且没有任何关于GaN现场故障的报告。
与传统的硅功率芯片相比，每颗出货的GaNFast氮化镓功率芯片可以减少碳足迹4-10倍，可节省4千克的二氧化碳排放。而在目标市场——智能手机和笔记本电脑快充充电器市场等——估计每年会有20亿美元的氮化镓市场机会，以及每年20亿美元的消费市场机会。