利用碎片化时间给手机充电已成为我们日常生活的一部分，由此也催生出了快充市场的火热。近几年，手机充电功率一路高歌猛进，从5W一路飙升到18W、40W、55W，有消息称，下半年将有手机配备W充电功率。
基于传统硅基芯片的充电器，由于转化效率低，发热大，要实现大功率输出，不得不将体积和质量做大。试想随身携带一个比手机还要大几倍、重几倍的充电器，没几人受得了吧。要想解决这一难题，市场给出了两条技术路线：第一，开发新型半导体材料，如氮化镓GaN第三代半导体功率器件；第二，榨干现有第一代硅基半导体材料的性能，提高其转化效率，如超级硅材料。
倍思（Baseus）20W苹果快充套装PD充电器超级硅数据线充电头通用iPhone13/14手机京东月销量好评率97%无理由退换京东配送￥59.9购买市面上已出现大批使用GaN材料的充电器。氮化镓充电器具有禁带宽度高、开关频率高、效率高的优点，因此能做到体积小、功率大，但是使用成本也高，市售的GaN充电器价格多在百元以上。且GaNMOSFET多适用于中高功率的场合，用在手机充电器上有点高射炮打蚊子的感觉。而超级硅材料则不同，它依然是基于第一代成熟的硅基材料及工艺，开关频率可达1MHZ，和GaNMOSFET处于同一数量级。在动态电阻、热阻、可靠性等方面甚至优于GaN，可以大大提供系统效率，降低发热量。成本方面，超级硅MOSFET约为GaNMOSFET的1/5，周围的驱动电路比GaN更简单。因此，更适用手机充电器等中低功率的场合。
继倍思品牌GaN氮化镓中高功率充电器后，倍思又为iPhone12系列量身定制推出20W超级硅充电器，也是全球首款量产的超级硅充电器。它不仅能以较低的成本实现媲美GaN氮化镓材料的体积和性能，而且安全高效，稳定可靠。