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由于人们都想快速充电，充电器在近几年也开始疯狂内卷，不知是哪个时间，GaN就突然出现在了充电行业里。
但对于GaN，很多人只是有个模糊的概念，对于它实现「小体积大功率」背后的原理、以及为何能改变多行业格局其实并不清楚。今天就让我们带着这些问题去一探究竟。
什么是氮化镓？
GaN是由镓和氮结合而来的化合物。它是它是拥有稳定六边形晶体结构的宽禁带半导体材料。那么什么是禁带呢？
禁带是指电子从原子核轨道上脱离所需要的能量，GaN的禁带宽度为3.4eV，是硅的3倍多，所以说GaN拥有宽禁带特性（WBG）。一种材料所能承受的电场受其禁带宽度影响，由于GaN比硅材料的禁带宽度大，使它的耗尽区也非常细窄，从而可以开发出载流子浓度非常高的器件结构，而载流子浓度直接决定了半导体的导电能力。
为什么GaN这么受欢迎？
首先我们先从它的优势来说起，由于GaN具有更小的晶体管、更短的电流路径、超低的电阻和电容等优势，GaN充电器的运行速度，比传统硅器件要快倍。更重要的是，GaN相比传统的硅，可以在更小的器件空间内处理更大的电场，同时提供更快的开关速度。此外，GaN比SiC，可以在更高的温度下工作。
这也就是为什么我们的充电器体积这么小却可以轻松达到65W、W。
今天的分享就到这里了，明天我们继续分享宽禁带半导体（SiC）！！