随着移动互联网的发展，手机已经成为人类生活当中的重要组成部分，渗透至衣食住行当中。手机能够给人们带来生活与工作的便利，但电量却越来越不够用了，每天一充甚至每日多充的问题困扰着人们。纵观行业的发展史我们能够观察到手机电池的容量也在随着行业发展不断地增加。电池技术无突破，堆电池容量并不是解决方法。移动电源从智能手机诞生之初就伴随着手机行业的发展至今，然而移动电源（充电宝）也存在着弊端，但依旧治标不治本。随着手机电池容量增大，充电速度也相应变慢，想要解决手机电量问题，有线快充的技术发展就成为了那一根救命稻草，用最短的时间，充最多的电量。近两年我们时常能够听到一个名词，那就是“氮化镓”。华为在Mate40系列的发布会上也着重强调了超级快充GaN“氮化镓”，首发搭载骁龙的小米11也同样的使用了“氮化镓”快充头。究竟这氮化镓充电器有什么神奇地方受到了大厂们的青睐呢？什么是GaN氮化镓（galliumnitride）是一种无机物，化学式为GaN，是氮和镓的化合物，是一种直接能隙（directbandgap）的半导体，自年起常用在发光二极管中。此化合物结构类似纤锌矿，硬度很高。氮化镓的能隙很宽，为3.4电子伏特，可以用在高功率、高速的光电元件中，例如氮化镓可以用在紫光的激光二极管，可以在不使用非线性半导体泵浦固体激光器（Diode-pumpedsolid-statelaser）的条件下，产生紫光（nm）激光。关于氮化镓GaN材料的应用是目前半导体研究的前沿与热点，是研制微电子器件、光电子器件的新型半导体材料，并与SIC、金刚石等半导体材料一起，被誉为是继第一代Ge、Si半导体材料、第二代GaAs、InP化合物半导体材料之后的第三代半导体材料。它具有宽的直接带隙、强的原子键、高的热导率、化学稳定性好（几乎不被任何酸腐蚀）等性质和强的抗辐照能力，在光电子、高温大功率器件和高频微波器件应用方面有着广阔的前景。氮化镓这种新型材料也被誉为了第三代半导体的核心材料，自然受到了各大厂的青睐，对于快充技术而言，GaN能够比SiC承受更高的电压，并且拥有更强的导电能力，因此采用氮化镓为材料基础制作的充电器能够拥有更小的变压器以及其他电感元件，不仅能够缩小体积，也能够提升效率以及降低发热。氮化镓的前景半导体作为科技发展的核心之一，自然是各国发展科技的重中之重。《中国制造》是国务院于年印发的部署全面推进实施制造强国的战略文件，也是我国实施制造强国战略的第一个十年的行动纲领。其中就多次提及到了以氮化镓为代表的第三代半导体功率器件。在未来，氮化镓这种新型半导体材料会不断的扩充应用范围，也是趋势所在。不仅在快充领域，氮化镓在5G通信中的小基站微波射频中也被广泛的应用。作为第三代半导体的核心材料之一，它在未来还有更广空的空间可发展。特别声明：本文部分图片、内容来源于互联网，由元器猫编辑进行整合，若原作者认为不能够无偿使用请尽快联系我们，谢谢！
