随着“双碳”概念的深入，智能化、低碳化越来越成为数据中心的两大“确定性”发展趋势，而低碳化就意味着要让数据中心能耗更低、效率更高。据行家说Research显示，现有数据中心（Si方案）整体功率转换能效大约为75%，而采用GaN器件则能提升到87.5%。其中，DCDC48V-12V环节在整个链路中扮演了重要角色。
继W48V-5V、W48V-12VDCDC电源模块后，英诺赛科又推出一款W方案，利用氮化镓寄生结电容小的特点，配合磁集成方案，将开关频率提升至1MHz，在39mm*26mm*7.5mm的尺寸下，输出功率达到W，效率超98%，实现了高效率和高功率密度优势。
主要参数
尺寸
39mm*26mm*7.5mm
效率
峰值效率：98.0%
12V/30A满载效率：96.29%
12V/85A功率密度
W/in^3
InnoGaN
ISG×2
INNLAA×8
拓扑结构
WDCDC电源模块的拓扑结构为全桥LLCDCX，固定变比为4：1，支持48V输入转12V输出，采用英诺赛科两颗VSolidGaN系列的ISG和八颗INNLAA低压GaN芯片搭配设计。
效率数据
通过实际测试，在输入电压48V、输出12V/30A时，峰值效率达到98%；在输入电压48V、输出12V/85A时，满载效率96.29%。
器件性能
WDCDC电源模块采用了两款InnoGaN氮化镓芯片设计而成，实现系统的高功率转换。
SolidGaNISG是一颗耐压V的半桥氮化镓合封芯片，其内部集成了2颗V/3.2mΩ的增强型GaN和1颗V半桥驱动，通过内部集成驱动器，优化驱动回路和功率回路，显著降低寄生电感和开关尖峰,进一步提高W48V电源模块系统的整体性能和可靠性。产品面积（5mmx6.5mm）仅略大于单颗标准5x6Si器件，相对于Si方案的PCB占板面积减小了73%。针对谐振软开关应用，GaN的软开关FOM仅为Si的45%，这就意味着在高频软开关应用中，VGaN的性能更加优越。
同时，该芯片还具有独立的高侧和低侧PWM信号输入，并支持TTL电平驱动，可由专用控制器或通用MCU进行驱动控制，是数据中心模块电源，电机驱动以及D类功率放大器等48V电源系统的最佳选择。
INNLAA是一颗耐压40V导阻1.5mΩ的增强型氮化镓晶体管，采用FCLGA5*4封装，体积小巧，同时具备极低栅极电荷和导通电阻，且反向恢复电荷为零，不仅可以降低占板面积，支持WDCDC模块的高功率密度设计，更高的开关频率还能为系统提供更高的动态响应，为绿色数据中心赋能。
方案优势
高效率：98.0%
48V-12V/30A高频率：1MHz
高功率密度：W/in^3
超小体积：39mm*26mm*7.5mm
未来的数据中心将以更高效、更绿色和更智能的方式为客户提供服务，WDCDC电源模块能够使数据中心发挥高功率密度、低损耗等巨大优势，氮化镓作为实现绿色能源的核心器件，也将为数字化时代的到来提供有力支撑。