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宜普电源转换公司(EPC)新推V、3.8mΩ的氮化镓场效应晶体管EPC，为高功率密度应用提供性能更高和更小的解决方案，包括DC/DC转换、AC/DC充电器、太阳能优化器和微型逆变器、电机驱动器和D类音频放大器等应用。
宜普电源转换公司是增强型氮化镓(eGaN)功率FET和IC领域的全球领导者，新推V、采用耐热增强型QFN封装的EPC，用于高密度计算应用的48VDC/DC转换、电动汽车和机器人的48VBLDC电机驱动器、太阳能优化器和微型逆变器，以及D类音频放大器。
EPCGaNFET具有超小的导通电阻（仅为3.8mOhm）以及非常小的QG、QGD和QOSS参数，可实现低导通和开关损耗。它采用耐热增强型QFN封装，从顶部散热，占板面积仅为3mmx5mm，为最高功率密度应用提供超小型化的解决方案。
EPC与之前推出的V、1.8mOhmEPC都是封装兼容，从而允许设计工程师在导通电阻与价格之间权衡，在相同PCB布局兼容两种器件的封装尺寸，从而可实现效率或成本优化的解决方案。
宜普电源转换公司首席执行官兼联合创始人AlexLidow说：“EPC结合了V氮化镓场效应晶体管的优势和易于组装的QFN封装而没有降低性能。设计人员可以利用我们的封装GaNFET系列，实现用于电动汽车和无人机的更轻且以电池供电的BLDC电机驱动器；用于数据中心、数据通信、人工智能的更高效48V输入DC/DC转换器，以及用于其他工业及消费应用。”
开发板
EPC开发板采用最大器件电压为V、最大输出电流为45A的半桥器件EPCGaNFET，旨在简化评估过程以加快产品推出市场时间。这款2“x2”（50.8mmx50.8mm）开发板专为实现最佳开关性能而设计和包含了所有关键组件，便于评估。