自从氮化镓器件应用到USBPD充电器以后，充电器的转换效率就提高了好几个点。氮化镓应用到充电器中，其高频优势大幅降低了开关损耗，低导阻降低了导通损耗。氮化镓的大规模应用，将传统硅半导体器件限制打破，提高充电器的开关频率，减小变压器的体积。同时氮化镓的高效优势，降低了充电器工作的温升，降低散热需求，打造出高性能小体积的充电器。
使用英诺赛科氮化镓器件的30W氮化镓充电器与使用硅器件的充电器对比，左侧为大家熟悉的五福一安，右侧同样为30W功率的USBPD充电器，中间使用氮化镓的充电器，同等功率的体积可以做到常规硅器件大概1/4的体积，并且还是折叠插脚，性能优势非常明显。
英诺赛科推出了一款高性价比氮化镓开关管，型号为INNDAA，这是一颗耐压V的氮化镓高压单管，瞬态耐压V，得益于工艺改进，相比英诺赛科之前的氮化镓器件，性能有明显的提升，适用于65-W的反激架构，-W的LLC架构。
INNDAA支持超高开关频率，无反向恢复电荷，具有极低的栅极电荷和输出电荷，符合JEDEC标准的工业应用要求，内置ESD保护，符合RoHS、无铅、欧盟REACH法规。
英诺赛科INNDAA采用DFN5*6封装，相比DFN8*8，体积明显减小，功率密度有较大提升。可用于开关电源、DC-DC转换、图腾柱PFC、电池快充、高能效高功率密度功率转换应用。
充电头网总结
在半导体国产化的大时代背景下，借助USBPD普及的东风，英诺赛科InnoGaN系列产品在消费类电源大放异彩，凭借着性能和成本优势，成功获得努比亚、Lapo、飞频、REMAX、QCY等数十家知名品牌和厂商的上百款产品采用，并且均得到良好的市场反馈，其高压GaN的出货量也突破了万颗大关，成为全球GaN功率器件出货量最大的品牌之一。
英诺赛科持续为客户推出先进的氮化镓解决方案，并与合作伙伴共同推出优秀的氮化镓应用方案，助力第三代半导体器件普及。英诺赛科是市面上唯一一家高低压产品都已经量产出货的公司，器件广泛应用于多个新兴领域，如快充、5G通信、人工智能、自动驾驶和数据中心等。在这些领域中，发挥氮化镓的优势，提高电源效率。通过高效率的电源转换，推动绿色低碳发展。