氮化镓快充的种种优势，想必看到这篇文章的朋友都很了解吧。氮化镓属于第三代宽禁带半导体材料，相比硅器件可以在高频，高功率和高温场合应用。利用氮化镓的性能优势，可以降低开关损耗，降低散热要求。还能提高充电器的开关频率，减小变压器的体积。氮化镓有这么多优点，在快充中得到了广泛应用，深受人们喜爱。
氮矽科技是一家专注于氮化镓功率器件，提供氮化镓驱动芯片的设计、研发、销售和方案开发的高科技企业。氮矽科技不光提供高性能的氮化镓单管产品，还提供对应的氮化镓驱动芯片，推出多款氮化镓快充参考设计，降低氮化镓技术应用门槛，充分发挥氮化镓高性能优势。
氮矽高性能氮化镓器件
氮矽科技DXC是一颗V耐压的增强型氮化镓功率开关，采用DFN5*6封装，实际型号为DXE65HC。据了解，目前该芯片已经被征拓65W2C1A氮化镓充电器采用。
氮矽科技DXE65HC是一颗V耐压的增强型氮化镓开关管，典型导阻为mΩ，最大连续电流为10A。器件具有简化的栅极驱动要求，只需0-6V驱动电压，无需负压驱动。极低的栅极电荷支持10MHz以上的超高开关频率，具有可控制且快速的上升下降时间，无反向恢复损耗。
氮矽科技DX系列氮化镓功率器件提供通用的TO封装，标准化的DFN8*8封装，小型化的DFN5*6封装，全球独创的高性能PDDFN4*4封装，满足大功率，小体积，高性能等多种应用场合。可用于电池快充，LED照明，功率因数校正，LLC拓扑的开关电源以及无线功率传输，支持多种开关电源拓扑应用。
关于氮矽科技
氮矽科技是一家专注于第三代半导体氮化镓功率IC与功率器件研发的公司。公司成立于年，公司初创团队拥有欧美以及国内氮化镓领域超过5年的研发以及行业经验，专注于氮化镓相关的驱动IC、氮化镓晶体管等领域。
氮矽科技在年2月推出业界首款增强型氮化镓晶体管栅极驱动芯片，此驱动芯片拥有极快速的上升下降时间和超短的传播延迟，因此可以轻松支持GaN晶体管高达50MHz的开关速率，打破国外在此领域的垄断；年5月又推出达量产级别的/mΩ的增强型氮化镓晶体管，以此驱动IC以及晶体管为基础所开发的PD快充应用解决方案能完全满足目前各种手机、平板、笔记本电脑等电子设备的快充需求。
氮矽科技拥有多种成熟的PD快充Demo设计，均已经过反复批量测试验证，可以直接量产。氮矽科技提供标准化服务和定制化服务，可以为客户提供一站式服务，缩短快充开发周期，简化开发流程。