年7月26日，安克创新举办安克旗舰新品发布会，发布了GaNPrime全氮化镓多口快充系统，独家首发全时功率分配技术、创新堆叠技术、AI智能控温技术、PowerIQ4.0等多项核心技术，基于这些核心技术推出了多款采用GaNPrime快充系统的强力新品，为消费者提供充电更快体积更小，使用更安全更节能的安心体验。
英诺赛科助力安克全氮化镓产品问世现如今，很多用户除了手机之外，还配备了平板、TWS蓝牙耳机、手表、手环等电子产品，如果用户仅仅使用单口充电器给设备充电，往往需要依次排队，并且等待时间较长。于是越来越多的用户开始选择多口充电器，以提升多设备充电效率。
安克最新推出的基于GaNPrime快充系统的65W2C1A三口充电器，采用全氮化镓架构设计，在减小充电器体积和发热的同时，提升充电效率和使用体验，满足用户多设备同时快充的需求。
在安克旗舰新品发布会上，英诺赛科创始人兼董事长骆薇薇博士表示：英诺赛科联合安克独家首发了全氮化镓技术，这项技术首次在AC和DC端同时采用了英诺赛科的氮化镓功率芯片，充分利用氮化镓高频高效的优势，使产品的系统功率密度和效率达到了全新高度。
在AC到DC的转化路径上，安克独家首发的全氮化镓技术，在前端和后端都应用上了氮化镓。这是在以往只有前端应用氮化镓技术的基础之上，增加了后端电路的氮化镓应用，实验测试数据显示，全氮化镓技术的加持，实现AC到DC电路能量损耗减少7.2%，电路效率大幅提升。
充电头网总结此次安克推出的GaNPrime全氮化镓65W多口充电器，在低压侧采用英诺赛科GaN同步整流管，与初级侧英诺赛科InnoGaN器件配合，组成初次级全套氮化镓方案，可降低低压侧同步整流驱动损耗，有效降低同步整流驱动器发热，从而大幅度缩小适配器体积，推高功率密度。
在氮化镓领域深耕多年的英诺赛科，不仅率先将Bi-GaN技术引入智能手机产品，而且面向PD3.1快充、户外储能电源等新兴应用推出多款解决方案，还对双USB-C快充市场风口提前进行布局，实现氮化镓应用在多领域的全面突破。
英诺赛科拥有全球领先的芯片制造能力，在8英寸硅基氮化镓核心技术和关键工艺领域实现了重大突破，产品性能已达到国际先进水平，在产品及方案设计上与多家一线品牌开展了深度合作，广受客户认可。