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IT之家3月17日消息，据businesswire报道，丰田合成ToyodaGosei与大阪大学合作，成功研制出了6英寸的氮化镓GaN衬底。
GaN功率器件广泛用于工业机械、汽车、家用电子等领域，随着全球碳中和的目标，GaN功率器件作为减少电力损失的一种手段而被寄予厚望，因此需要更高质量和更大直径的GaN衬底，以实现更高的生产效率（降低成本）。
在日本环境省牵头的一个项目中，丰田合成和大阪大学采用了一种在钠和镓的液态金属中生长GaN晶体的方法，来制造高质量的GaN衬底，成功制造出了6英寸的衬底，为目前世界最大的衬底。
IT之家了解到，丰田合成接下来将对6英寸衬底的批量生产进行质量评估，继续提高质量，并继续增加直径尺寸，有望超过6英寸。