IT之家3月13日消息TrendForce集邦咨询近日发布了GaN氮化镓市场调查报告。报告显示，尽管年至年以氮化镓为代表的第三代半导体产业受到贸易摩擦、疫情影响增长受到压力，但年该产业成长动能有望高速回升，预计GaN氮化镓功率器件市场规模将达到万美元，年增长率达到90.6%。
TrendForce详细介绍了作出此预测的原因。首先，新冠疫苗的问世有望缓解全球疫情，进而带动工业能源转换所需零组件如逆变器、变频器等，以及通讯基站需求回稳。其次，随着特斯拉Model3电动车逆变器逐渐采用SiC碳化硅器件，第三代半导体于车用市场逐渐备受重视。最后，中国政府为提升半导体自主化，今年提出十四五计划投入巨额人民币扩大产能，上述都将成为推升年GaN及SiC等第三代半导体高速成长的动能。
IT之家获悉，GaN器件的制造主力以6英寸晶圆为主，但台积电、VIS等代工厂尝试引入8英寸晶圆生产氮化镓器件。TrendForce预期年通讯及功率器件营收分别为6.8亿和6,万美元，年增30.8%及90.6%。
研究机构表示，GaN功率器件年增最高的主因是手机品牌如小米（Xiaomi）、OPPO、Vivo自年起率先推出快速充电头，凭借高散热效能与体积小的产品优势获得消费者青睐，截至目前笔电厂商也有意跟进。预计GaN器件会持续渗透至手机与笔电配件，且年增率将在年达到最高峰，后续随着厂商采用逐渐普及，成长动能将略为趋缓。
针对SiC碳化硅器件，由于通讯及功率领域皆需使用该衬底，6英寸晶圆的供应量显得吃紧，预估年SiC器件于功率领域营收可达6.8亿美元，年增32%。目前各大衬底商如科锐（CREE）、贰陆（II-VI）、意法半导体（STMicroelectronics）等已陆续开展8英寸衬底研制计划，但仍有待年后才有望逐渐纾缓供给困境。