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集微网消息，半导体材料的发展有利于改善半导体器件和芯片设计性能的极限，为了满足日益增加和多元的需求，半导体材料从以硅（Si）、锗（Ge）为代表的第一代半导体，以砷化镓（GaAs）、磷化铟（InP）为代表的第二代半导体，逐渐发展到如今的以氮化镓（GaN）、碳化硅（SiC）为代表的第三代半导体以及以氧化镓（Ga2O3）、氮化铝（AlN）、金刚石（C）、锑化物（GaSb、InSb）为代表的超窄禁带（UNBG）半导体材料的第四代半导体。
相比其他半导体材料，第四代半导体材料拥有体积更小、能耗更低、功能更强等优势，可以在苛刻的环境条件下，能够更好地运用在光电器件、电力电子器件中，在功率器件和射频器件领域大放异彩。在第四代半导体材料中，氧化镓(Ga2O3)研究进展备受瞩目。
“潜力”可期，日美韩研发势力争相布局氧化镓材料
对于氮化镓和碳化硅，我们可能已经比较熟悉，同为宽禁带半导体的氧化镓则是更加新兴的领域。从功率半导体特性来看，与前代半导体材料相比，氧化镓材料具备更高的击穿电场强度与更低的导通电阻，从而能量损耗更低，功率转换效率更高。相关统计数据显示，氧化镓的损耗理论上是硅的1/、碳化硅的1/6、氮化镓的1/3。
中国科学院院士郝跃此前接受媒体采访时曾指出，氧化镓材料是最有可能在未来大放异彩的材料之一，在未来的10年左右，氧化镓器件有可能成为有竞争力的电力电子器件，会直接与碳化硅器件竞争。
日本氧化镓领域知名企业FLOSFIA预计，年氧化镓功率器件市场规模将开始超过氮化镓，年达到15.42亿美元（约合人民币亿元），达到碳化硅的40%，达到氮化镓的1.56倍。
虽然目前还处于研发阶段，氧化镓领域已经吸引了世界研发势力的广泛