喷镓系气体来生长晶体日本新技术将氮化镓

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9月5日,最大半导体晶圆制造商信越化学与制造ATM和通信设备的OKI宣布,他们开发了使用氮化镓(GaN)以低成本制造功率半导体材料的技术。与传统制造方法相比,制造成本可降低至十分之一以下。功率半导体被纳入充电器、小型家用电器以及连接电动汽车(EV)电机和电池以控制电源的控制器中。GaN可用于控制大量功率。

信越化学和OKI开发的新技术通过将镓基气体喷射到专有基板上来生长晶体。通过将信越化学的加厚晶体技术与OKI的粘合技术相结合,可以仅将晶体与基板分离。该晶体被放置在单独的基板上并用作功率半导体的晶圆。

与在硅基板上使GaN晶体生长的制法相比,该方法不需要基板和晶体之间的绝缘层。结合更厚的晶体薄膜,将有可能流过20倍以上的电流。

随着最新技术驱动成本的快速下行,氮化镓渗透率及市场规模望加速成长。半导体、光学及电子行业领域的国际权威研究机构Yole预测,年全球氮化镓功率器件市场规模约为万美元,预计年可达11亿美元,-年年均复合增长率有望达到70%。




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